Логотип
Юнионпедия
Связь
Доступно в Google Play
Новый! Скачать Юнионпедия на вашем Android™ устройстве!
Свободно
Более быстрый доступ, чем браузер!
 

Дифракция отражённых электронов и Просвечивающий электронный микроскоп

Ярлыки: Различия, Сходства, Jaccard сходство Коэффициент, Рекомендации.

Разница между Дифракция отражённых электронов и Просвечивающий электронный микроскоп

Дифракция отражённых электронов vs. Просвечивающий электронный микроскоп

Дифракция отражённых электронов (National Institute of Standards and Technology Materials Reliability Division) Дифракция отражённых электронов с монокристалла кремния Дифракция отражённых электронов (ДОЭ) — микроструктурная кристаллографическая методика, используемая для исследования кристаллографических ориентаций многих материалов, которая может использоваться для исследования текстуры или преимущественных ориентаций моно- или поликристаллического материала. нм Просвечивающий (трансмиссионный) электронный микроскоп (ПЭМ, англ, TEM - Transmission electron microscopy) — устройство для получения изображения ультратонкого образца путём пропускания через него пучка электронов.

Сходства между Дифракция отражённых электронов и Просвечивающий электронный микроскоп

Дифракция отражённых электронов и Просвечивающий электронный микроскоп есть 4 что-то общее (в Юнионпедия): Кикучи-линия, ПЗС-матрица, Растровый электронный микроскоп, Фокусируемый ионный пучок.

Кикучи-линия

Карта пар линий Кикути до 1/1Å для 300 кэВ электронов в гексагональном сапфире (Al2O3), с подписанными некоторыми пересечениями. Кикучи-линия или линия Кикучи (по имени получившего их впервые японского физика  — пара полос, образующихся при электронной дифракции от монокристалла. Это явление можно наблюдать при дифракции отражённых электронов в РЭМ и в просвечивающем электронном микроскопе на достаточно толстой для многократного рассеяния области образца. Полосы служат «дорогами в ориентационном пространстве» для микроскопистов, которые не уверены в том, что они наблюдают. В отличие от дифракционных рефлексов, которые то погасают, то возникают вновь при повороте кристалла, линии Кикучи размечают ориентационное пространство посредством хорошо определяемых пересечений (называемых зонами или полюсами) также как и путями, соединяющие пересечения. Экспериментальные и теоретические карты геометрии полос Кикучи, также как их аналоги в прямом пространстве, например, изгибный контур (bend contours), картины каналирования электронов (electron channeling patterns) и карты видимости границ (fringe visibility maps) всё более полезны в микроскопии кристаллических и нанокристаллических материалов. Поскольку каждая линия Кикучи связана с Брегговской дифракцией с одной стороны одного набора плоскостей решетки, то этим линиям могут быть приписаны те же индексы Миллера или индексы обратной решетки, что используются для обозначения обычных дифракционных рефлексов. Пересечения полос Кикучи, иначе говоря зоны, обозначаются посредством индексов прямой решетки, то есть индексы, которые представляются умножением базисных векторов a, b и c. Линии Кикучи формируются из дифракционных картин рассеянных электронов, например в результате теплового колебания атомов. Основными особенности их геометрии могут быть выведены из простого эластичного механизма, предложенного в 1928 году Сэйси Кикути, хотя динамическая теория неупругого рассеяния нуждается в количественном осмыслении оных. В случае рассеяния рентгеновских лучей эти линии называются линиями Косселя.

Дифракция отражённых электронов и Кикучи-линия · Кикучи-линия и Просвечивающий электронный микроскоп · Узнать больше »

ПЗС-матрица

thumb ультрафиолетового и видимого диапазонов ПЗС-ма́трица (сокр. от «прибор с зарядовой связью»), или CCD-ма́трица (сокр. от CCD, «charge-coupled device») — специализированная аналоговая интегральная микросхема, состоящая из светочувствительных фотодиодов, выполненная на основе кремния, использующая технологию ПЗС — приборов с зарядовой связью.

Дифракция отражённых электронов и ПЗС-матрица · ПЗС-матрица и Просвечивающий электронный микроскоп · Узнать больше »

Растровый электронный микроскоп

Растровый электронный микроскоп Zeiss Leo Supra 35 пыльцы позволяет оценить возможности режима ВЭ РЭМ Микрофотография интерфейса между оксидной (тёмные поля) и металлической (светлые поля) составляющими позволяет оценить возможности режима ОЭ РЭМ Растровый электронный микроскоп (РЭМ, Scanning Electron Microscope, SEM) — прибор класса электронный микроскоп, предназначенный для получения изображения поверхности объекта с высоким (до 0,4 нанометра) пространственным разрешением, также информации о составе, строении и некоторых других свойствах приповерхностных слоёв.

Дифракция отражённых электронов и Растровый электронный микроскоп · Просвечивающий электронный микроскоп и Растровый электронный микроскоп · Узнать больше »

Фокусируемый ионный пучок

Фокусируемый ионный луч (ФИЛ, Фокусируемый ионный пучок; Focused ion beam (FIB)) — широко используемая методика в материаловедении для локального анализа, напыления и травления материалов.

Дифракция отражённых электронов и Фокусируемый ионный пучок · Просвечивающий электронный микроскоп и Фокусируемый ионный пучок · Узнать больше »

Приведенный выше список отвечает на следующие вопросы

Сравнение Дифракция отражённых электронов и Просвечивающий электронный микроскоп

Дифракция отражённых электронов имеет 18 связей, в то время как Просвечивающий электронный микроскоп имеет 50. Как они имеют в общей 4, индекс Жаккар 5.88% = 4 / (18 + 50).

Рекомендации

Эта статья показывает взаимосвязь между Дифракция отражённых электронов и Просвечивающий электронный микроскоп. Чтобы получить доступ к каждой статье, из которых информация извлекается, пожалуйста, посетите:

Привет! Мы на Facebook сейчас! »