Логотип
Юнионпедия
Связь
Доступно в Google Play
Новый! Скачать Юнионпедия на вашем Android™ устройстве!
Свободно
Более быстрый доступ, чем браузер!
 

Магниторезистивная оперативная память и Флеш-память

Ярлыки: Различия, Сходства, Jaccard сходство Коэффициент, Рекомендации.

Разница между Магниторезистивная оперативная память и Флеш-память

Магниторезистивная оперативная память vs. Флеш-память

Магниторезистивная оперативная память (MRAM — magnetoresistive random-access memory) — запоминающее устройство с произвольным доступом, которое хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. USB-флеш-накопитель. На переднем плане видна микросхема NAND-флеш-памяти, на заднем — её контроллер Флеш-память (flash memory) — разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM).

Сходства между Магниторезистивная оперативная память и Флеш-память

Магниторезистивная оперативная память и Флеш-память есть 5 что-то общее (в Юнионпедия): EEPROM, Hynix, Micron Technology, Samsung, Toshiba.

EEPROM

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) — электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ (ЭСППЗУ), один из видов энергонезависимой памяти (таких, как PROM и EPROM).

EEPROM и Магниторезистивная оперативная память · EEPROM и Флеш-память · Узнать больше »

Hynix

SK Hynix Inc. (кор. 하이닉스, рус. Хайникс) — южнокорейская компания, специализирующаяся на производстве полупроводниковой памяти типа DRAM и NAND.

Hynix и Магниторезистивная оперативная память · Hynix и Флеш-память · Узнать больше »

Micron Technology

Micron Technology — американская транснациональная корпорация, известная своей полупроводниковой продукцией, основную часть которой составляют чипы памяти DRAM и NAND, флеш память, SSD-накопители, а также датчики CMOS.

Micron Technology и Магниторезистивная оперативная память · Micron Technology и Флеш-память · Узнать больше »

Samsung

Samsung Group («Сáмсонг Груп») — южнокорейская группа компаний, один из крупнейших чеболей, основанный в 1938 году.

Samsung и Магниторезистивная оперативная память · Samsung и Флеш-память · Узнать больше »

Toshiba

Toshiba Corporation  — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония.

Toshiba и Магниторезистивная оперативная память · Toshiba и Флеш-память · Узнать больше »

Приведенный выше список отвечает на следующие вопросы

Сравнение Магниторезистивная оперативная память и Флеш-память

Магниторезистивная оперативная память имеет 36 связей, в то время как Флеш-память имеет 51. Как они имеют в общей 5, индекс Жаккар 5.75% = 5 / (36 + 51).

Рекомендации

Эта статья показывает взаимосвязь между Магниторезистивная оперативная память и Флеш-память. Чтобы получить доступ к каждой статье, из которых информация извлекается, пожалуйста, посетите:

Привет! Мы на Facebook сейчас! »