Более быстрый доступ, чем браузер!
33 отношения: Amelco, Nano-RAM, P-n-переход, Кукушкин, Сергей Арсеньевич, Кристаллический кремний, Кремний на изоляторе, Постоянная решётки, Подложка, Полупроводниковый диод, Полупроводниковые материалы, Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы, Американское вакуумное общество, Накамура, Сюдзи, Нитрид галлия, Нитевидный нанокристалл, Спонтанно упорядоченные наноструктуры, Сега, Роналд Майкл, Технологический процесс в электронной промышленности, Умершие в марте 2013 года, Ферриты, Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия (ХГФЭ), Эффект поля, Молекулярно-пучковая эпитаксия, Медаль Бенджамина Франклина, Институт физики микроструктур РАН, Ионная имплантация, Жидкофазная эпитаксия, Биполярный транзистор, Вакуумное напыление, Вертикально-излучающие лазеры, Газофазная эпитаксия, Гетероэпитаксия, Дифракция быстрых электронов.
Amelco
Amelco (Teledyne Amelco) — американская компания — производитель полевых транзисторов и аналоговых интегральных схем (ИС), основанная в 1960 венчурными капиталистами и. Amelco была одной из первых компаний военно-промышленного конгломерата Синглтона и Козмецки, ставшего известным под именем.
Новый!!: Эпитаксия и Amelco · Узнать больше »
Nano-RAM
Nano-RAM — это проприетарная технология компьютерной памяти от компании Nantero.
Новый!!: Эпитаксия и Nano-RAM · Узнать больше »
P-n-переход
p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от positive — положительная) и электронной (n, от negative — отрицательная).
Новый!!: Эпитаксия и P-n-переход · Узнать больше »
Кукушкин, Сергей Арсеньевич
Серге́й Арсе́ньевич Куку́шкин (род. 9 марта 1954, Ленинград, СССР) — российский физик и химик, лауреат государственных премий за открытие, объяснение, и внедрение в производство топохимической реакции монооксида углерода (угарного газа) с поверхностью кремния по принципу эндотаксиальной (хемоэпитаксиальной) самосборки замещающих атомов с образованием наноплёнки карбида кремния, которая может стать основой интегральных микросхем, дополнив или заменив кремний.
Новый!!: Эпитаксия и Кукушкин, Сергей Арсеньевич · Узнать больше »
Кристаллический кремний
Кристаллический кремний — основная форма, в которой используется кремний при производстве фотоэлектрических преобразователей и твердотельных электронных приборов методами планарной технологии.
Новый!!: Эпитаксия и Кристаллический кремний · Узнать больше »
Кремний на изоляторе
Схема КНИ-подложки Кремний на изоляторе (КНИ, Silicon on insulator, SOI) — технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин.
Новый!!: Эпитаксия и Кремний на изоляторе · Узнать больше »
Постоянная решётки
α, β, γ Постоя́нная решётки, или, что то же самое, параметр решётки — размеры элементарной кристаллической ячейки кристалла.
Новый!!: Эпитаксия и Постоянная решётки · Узнать больше »
Подложка
Срез материала с поликристаллической структурой Подложка — термин, используемый в материаловедении для обозначения основного материала, поверхность которого подвергается различным видам обработки, в результате чего образуются слои с новыми свойствами или наращивается плёнка другого материала.
Новый!!: Эпитаксия и Подложка · Узнать больше »
Полупроводниковый диод
Схема полупроводникового кремниевого диода. Ниже приведено его символическое изображение на электрических принципиальных схемах. Полупроводнико́вый диод — полупроводниковый прибор, в широком смысле — электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода).
Новый!!: Эпитаксия и Полупроводниковый диод · Узнать больше »
Полупроводниковые материалы
Полупроводниковые материалы — вещества с чётко выраженными свойствами полупроводник, включая комнатную (~ 300 К) полупроводниковых приборов.
Новый!!: Эпитаксия и Полупроводниковые материалы · Узнать больше »
Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы
Осаждение металлорганических соединений из газовой фазы (Metalorganic chemical vapour deposition) — метод химического осаждения из газовой фазы путём термического разложения (пиролиза) металлоорганических соединений для получения материалов (металлов и полупроводников), в том числе путём эпитаксиального выращивания.
Новый!!: Эпитаксия и Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы · Узнать больше »
Американское вакуумное общество
Американское вакуумное общество (American Vacuum Society, AVS) — некоммерческое научное общество, обеспечивающая связь между исследовательскими центрами и индустрией с целью распространения знаний в области новых технологий.
Новый!!: Эпитаксия и Американское вакуумное общество · Узнать больше »
Накамура, Сюдзи
— японский и американский физик, изобретатель синего светодиода, лауреат Нобелевской премии по физике (2014), в настоящее время работает в Калифорнийском университете в Санта-Барбаре (США).
Новый!!: Эпитаксия и Накамура, Сюдзи · Узнать больше »
Нитрид галлия
Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота.
Новый!!: Эпитаксия и Нитрид галлия · Узнать больше »
Нитевидный нанокристалл
InP нановискеры, выращенные на Si подложке Нитевидный нанокристалл (ННК), часто называемый также нановискер (от nanowhisker) или нанонить, нанопроволока (от nanowires), а также наностержень (nanorod) — это одномерный наноматериал, длина которого значительно превосходит остальные измерения, которые, в свою очередь, не превышают нескольких десятков нанометров.
Новый!!: Эпитаксия и Нитевидный нанокристалл · Узнать больше »
Спонтанно упорядоченные наноструктуры
подложке Спонтанно упорядоченные наноструктуры (spontaneously ordered nanostructures) — периодические пространственно упорядоченные наноструктуры, спонтанно формирующиеся на поверхности твёрдых тел и в эпитаксиальных пленках в процессах роста или отжига.
Новый!!: Эпитаксия и Спонтанно упорядоченные наноструктуры · Узнать больше »
Сега, Роналд Майкл
Ро́налд «Рон» Майкл Сега́ (Ronald «Ron» Michael Sega; род. 1952) — астронавт НАСА.
Новый!!: Эпитаксия и Сега, Роналд Майкл · Узнать больше »
Технологический процесс в электронной промышленности
Кристаллический кремний Процессор Apple Технологический процесс полупроводникового производства — технологический процесс изготовления полупроводниковых (п/п) изделий и материалов, и состоит из последовательности технологических (обработка, сборка) и контрольных операций, часть производственного процесса производства п/п изделий (транзисторов, диодов и т. п.). При производстве п/п интегральных микросхем применяется фотолитография и литографическое оборудование.
Новый!!: Эпитаксия и Технологический процесс в электронной промышленности · Узнать больше »
Умершие в марте 2013 года
Без описания.
Новый!!: Эпитаксия и Умершие в марте 2013 года · Узнать больше »
Ферриты
Ферри́ты (оксифе́ры) — соединения оксида железа Fe2O3 с более осно́вными оксидами других металлов, являющиеся ферримагнетиками.
Новый!!: Эпитаксия и Ферриты · Узнать больше »
Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия (ХГФЭ)
Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия — является эпитаксиальным методом для выращивания кристаллов с помощью хлоридов металлов, поступающих в реактор в газовой фазе.
Новый!!: Эпитаксия и Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия (ХГФЭ) · Узнать больше »
Эффект поля
Эффект поля (Field-effect) в широком смысле состоит в управлении электрофизическими параметрами поверхности твёрдого тела с помощью электрического поля, приложенного по нормали к поверхности.
Новый!!: Эпитаксия и Эффект поля · Узнать больше »
Молекулярно-пучковая эпитаксия
Система молекулярно-пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой-шибером. Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) — эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума.
Новый!!: Эпитаксия и Молекулярно-пучковая эпитаксия · Узнать больше »
Медаль Бенджамина Франклина
Медаль Бенджамина Франклина (Benjamin Franklin Medal) — приз за научные и технические достижения, вручаемый с 1998 года (Филадельфия).
Новый!!: Эпитаксия и Медаль Бенджамина Франклина · Узнать больше »
Институт физики микроструктур РАН
Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) был создан в 1993 году (Постановление Президиума РАН № 173 от 28 сентября 1993) на базе Отделения физики твердого тела Института прикладной физики РАН.
Новый!!: Эпитаксия и Институт физики микроструктур РАН · Узнать больше »
Ионная имплантация
Ио́нная импланта́ция — способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путём бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (10—2000 КэВ).
Новый!!: Эпитаксия и Ионная имплантация · Узнать больше »
Жидкофазная эпитаксия
Эпитаксия из жидкой фазы в основном применяется для получения многослойных полупроводниковых соединений, таких как GaAs, CdSnP2; также является основным способом получения монокристаллического кремния (Метод Чохральского).
Новый!!: Эпитаксия и Жидкофазная эпитаксия · Узнать больше »
Биполярный транзистор
Обозначение биполярных транзисторов на схемах. Направление стрелки показывает направление тока через эмиттерный переход, и служит для идентификации ''n-p-n'' и ''p-n-p'' транзисторов. Наличие окружности символизирует транзистор в индивидуальном корпусе, отсутствие — транзистор в составе микросхемы. Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполя́рный транзи́стор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов.
Новый!!: Эпитаксия и Биполярный транзистор · Узнать больше »
Вакуумное напыление
Молекулярный уровень процесса вакуумного напыления — модель Установка для вакуумного напыления Детали с покрытием из нитрида титана, полученным вакуумным напылением с электродуговым нагревом Вакуумное напыление (physical vapour deposition, PVD; напыление конденсацией из паровой (газовой) фазы) — группа методов напыления покрытий (тонких плёнок) в вакууме, при которых покрытие получается путём прямой конденсации пара наносимого материала.
Новый!!: Эпитаксия и Вакуумное напыление · Узнать больше »
Вертикально-излучающие лазеры
Вертикально-излучающие лазеры (VCSEL) — «Поверхностно-излучающий лазер с вертикальным резонатором» — разновидность диодного полупроводникового лазера, излучающего свет в направлении, перпендикулярном поверхности кристалла, в отличие от обычных лазерных диодов, излучающих в плоскости, параллельной поверхности.
Новый!!: Эпитаксия и Вертикально-излучающие лазеры · Узнать больше »
Газофазная эпитаксия
Газофа́зная эпитаксия — получение эпитаксиальных слоев полупроводников путём осаждения из паро-газовой фазы.
Новый!!: Эпитаксия и Газофазная эпитаксия · Узнать больше »
Гетероэпитаксия
дислокации Гетероэпитаксия (англ. heteroepitaxy; от ἕτερος — «иной», «различный» и «эпитаксия») — вид эпитаксии, когда растущий слой отличается по химическому составу от вещества подложки.
Новый!!: Эпитаксия и Гетероэпитаксия · Узнать больше »
Дифракция быстрых электронов
Дифракция быстрых электронов сокр., ДБЭ (reflection high-energy electron diffraction сокр., RHEED) — метод исследования структуры поверхности твердых тел, основанный на анализе картин дифракции электронов с энергией 5-100 кэВ, упруго рассеянных от исследуемой поверхности под скользящими углами.
Новый!!: Эпитаксия и Дифракция быстрых электронов · Узнать больше »
