6 отношения: Поверхностные акустические волны, Арсенид галлия, Собственный полупроводник, Волны Рэлея, Датчики на поверхностных акустических волнах, Двумерный электронный газ.
Поверхностные акустические волны
полосового фильтраНапример, фильтры на поверхностных акустических волнах для электроники цветных стационарных телевизионных приёмников.. Поверхностная волна генерируется слева через приложение переменного напряжения через проводники, изготовленные печатным методом. При этом электрическая энергия преобразуется в механическую. Двигаясь по поверхности механическая высокочастотная волна меняется. Справа — приёмные дорожки снимают сигнал, при этом происходит обратное преобразование механической энергии в переменный электрический ток, через нагрузочный резистор. Пове́рхностные акусти́ческие во́лны (ПАВ) — упругие волны, распространяющиеся вдоль поверхности твёрдого тела или вдоль границы с другими средами.
Новый!!: Поверхностные акустические волны в пьезоэлектриках и Поверхностные акустические волны · Узнать больше »
Арсенид галлия
Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка.
Новый!!: Поверхностные акустические волны в пьезоэлектриках и Арсенид галлия · Узнать больше »
Собственный полупроводник
Собственный полупроводник или полупроводник i-типа или нелегированный полупроводник (intrinsic — собственный) — это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 10−8 … 10−9%.
Новый!!: Поверхностные акустические волны в пьезоэлектриках и Собственный полупроводник · Узнать больше »
Волны Рэлея
Во́лны Рэлея — поверхностные акустические волны.
Новый!!: Поверхностные акустические волны в пьезоэлектриках и Волны Рэлея · Узнать больше »
Датчики на поверхностных акустических волнах
Датчики на поверхностных акустических волнах относятся к классу микроэлектромеханических систем (MEMS), которые основаны на модуляции поверхностных акустических волн при взаимодействии с материалом, помещённым вблизи поверхности датчика.
Новый!!: Поверхностные акустические волны в пьезоэлектриках и Датчики на поверхностных акустических волнах · Узнать больше »
Двумерный электронный газ
Двумерный электронный газ в MOSFET формируется при приложении напряжения на затвор. HEMT. Двумерный электронный газ (ДЭГ) — электронный газ, в котором частицы могут двигаться свободно только в двух направлениях, а в третьем они помещены в энергетическую потенциальную яму.
Новый!!: Поверхностные акустические волны в пьезоэлектриках и Двумерный электронный газ · Узнать больше »