Мы работаем над восстановлением приложения Unionpedia в Google Play Store
🌟Мы упростили наш дизайн для улучшения навигации!
Instagram Facebook X LinkedIn

Полевой транзистор и Транзистор

Ярлыки: Различия, Сходства, Jaccard сходство Коэффициент, Рекомендации.

Разница между Полевой транзистор и Транзистор

Полевой транзистор vs. Транзистор

Мощный полевой транзистор с каналом N-типа Полево́й (униполя́рный) транзи́стор — полупроводниковый прибор, работа которого основана на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении Транзи́стор (transistor), полупроводнико́вый трио́д — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.

Сходства между Полевой транзистор и Транзистор

Полевой транзистор и Транзистор есть 9 что-то общее (в Юнионпедия): P-n-переход, Каскад с общим эмиттером, Транзистор с высокой подвижностью электронов, МОП-структура, Микроволновое излучение, Интегральная схема, Биполярный транзистор с изолированным затвором, Лаборатории Белла, Лилиенфельд, Юлий Эдгар.

P-n-переход

p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от positive — положительная) и электронной (n, от negative — отрицательная).

P-n-переход и Полевой транзистор · P-n-переход и Транзистор · Узнать больше »

Каскад с общим эмиттером

Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером на основе npn-транзистора (Схема с заземленным эмиттером) При схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером (ОЭ) входной сигнал подаётся на базу, а выходной сигнал снимается с коллектора.

Каскад с общим эмиттером и Полевой транзистор · Каскад с общим эмиттером и Транзистор · Узнать больше »

Транзистор с высокой подвижностью электронов

Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ, HEMT) — полевой транзистор, в котором для создания канала используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (вместо легированной области как у обычных МОП-транзисторов).

Полевой транзистор и Транзистор с высокой подвижностью электронов · Транзистор и Транзистор с высокой подвижностью электронов · Узнать больше »

МОП-структура

МОП-структура — полупроводниковая структура, применяемая при производстве микросхем и дискретных полевых транзисторов.

МОП-структура и Полевой транзистор · МОП-структура и Транзистор · Узнать больше »

Микроволновое излучение

Микрово́лновое излучение, сверхвысокочасто́тное излуче́ние (СВЧ-излучение) — электромагнитное излучение, включающее в себя дециметровый, сантиметровый и миллиметровый диапазоны радиоволн, частоты микроволнового излучения изменяются от 300 МГц до 300 ГГц (длина волны от 1 м до 1 мм).

Микроволновое излучение и Полевой транзистор · Микроволновое излучение и Транзистор · Узнать больше »

Интегральная схема

thumb Интегра́льная (микро)схе́ма (ИС, ИМС, м/сх), микросхе́ма, чип (chip — тонкая пластинка — первоначально термин относился к пластинке кристалла микросхемы) — микроэлектронное устройство — электронная схема произвольной сложности (кристалл), изготовленная на полупроводниковой подложке (пластине или плёнке) и помещённая в неразборный корпус или без такового, в случае вхождения в состав микросборки.

Интегральная схема и Полевой транзистор · Интегральная схема и Транзистор · Узнать больше »

Биполярный транзистор с изолированным затвором

Условное графическое обозначение БТИЗ. Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления).

Биполярный транзистор с изолированным затвором и Полевой транзистор · Биполярный транзистор с изолированным затвором и Транзистор · Узнать больше »

Лаборатории Белла

Лаборатории Белла в Мюррей Хилл (Нью-Джерси, США) Bell Laboratories (известна также как Bell Labs, прежние названия — AT&T Bell Laboratories, Bell Telephone Laboratories) — бывшая американская, а ныне финско-американская корпорация, крупный исследовательский центр в области телекоммуникаций, электронных и компьютерных систем.

Лаборатории Белла и Полевой транзистор · Лаборатории Белла и Транзистор · Узнать больше »

Лилиенфельд, Юлий Эдгар

Юлий Эдгар Лилиенфельд (18 апреля 1882, Львов — 28 августа 1963, Шарлотта-Амалия, Виргинские острова), физик, изобретатель транзистора.

Лилиенфельд, Юлий Эдгар и Полевой транзистор · Лилиенфельд, Юлий Эдгар и Транзистор · Узнать больше »

Приведенный выше список отвечает на следующие вопросы

Сравнение Полевой транзистор и Транзистор

Полевой транзистор имеет 28 связей, в то время как Транзистор имеет 72. Как они имеют в общей 9, индекс Жаккар 9.00% = 9 / (28 + 72).

Рекомендации

Эта статья показывает взаимосвязь между Полевой транзистор и Транзистор. Чтобы получить доступ к каждой статье, из которых информация извлекается, пожалуйста, посетите: