6 отношения: Параметры Латтинжера, Подвижность носителей заряда, Полупроводниковые приборы, Эффективная масса, Запрещённая зона, Дырка.
Параметры Латтинжера
Параметры Латтинжера — безразмерные параметры, характеризующие дисперсию валентных зон полупроводника в рамках подхода Кона-Латтинжера.
Новый!!: Арсенид галлия и Параметры Латтинжера · Узнать больше »
Подвижность носителей заряда
Подвижность носителей заряда — коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью носителей и приложенным внешним электрическим полем.
Новый!!: Арсенид галлия и Подвижность носителей заряда · Узнать больше »
Полупроводниковые приборы
Интегральные схемы являются полупроводниковыми приборами Полупроводниковые приборы, ПП — широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников.
Новый!!: Арсенид галлия и Полупроводниковые приборы · Узнать больше »
Эффективная масса
Эффекти́вная ма́сса - величина, имеющая размерность массы и применяемая для удобного описания движения частицы в периодическом потенциале кристалла.
Новый!!: Арсенид галлия и Эффективная масса · Узнать больше »
Запрещённая зона
Запрещённая зо́на — термин из физики твердого тела — зона — область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле.
Новый!!: Арсенид галлия и Запрещённая зона · Узнать больше »
Дырка
Ды́рка — квазичастица, носитель положительного заряда, равного элементарному заряду, в полупроводниках.
Новый!!: Арсенид галлия и Дырка · Узнать больше »
Перенаправления здесь:
GaAs.