Мы работаем над восстановлением приложения Unionpedia в Google Play Store
ИсходящиеВходящий
🌟Мы упростили наш дизайн для улучшения навигации!
Instagram Facebook X LinkedIn

Вырожденный полупроводник

Индекс Вырожденный полупроводник

Вырожденный полупроводник — это полупроводник, концентрация примесей в котором настолько велика, что собственные свойства практически не проявляются, а проявляются в основном свойства примеси.

Содержание

  1. 7 отношения: Компенсированный полупроводник, Концентрация частиц, Примесь (металлургия), Сильное легирование, Собственный полупроводник, Запрещённая зона, Легирование (полупроводники).

Компенсированный полупроводник

Компенсированный полупроводник - легированный полупроводник с примерно одинаковой концентрацией доноров и акцепторов, свойства которого близки к собственным полупроводникам.

Посмотреть Вырожденный полупроводник и Компенсированный полупроводник

Концентрация частиц

Концентрация частиц — физическая величина, равная отношению числа частиц N к объёму V, в котором они находятся: Размерность в СИ.

Посмотреть Вырожденный полупроводник и Концентрация частиц

Примесь (металлургия)

При́месь — химический элемент, перешедший в состав сплава в процессе его производства как технологическая добавка или как составляющее шихтовых материалов.

Посмотреть Вырожденный полупроводник и Примесь (металлургия)

Сильное легирование

Сильное легирование наблюдается при больших концентрациях примесей.

Посмотреть Вырожденный полупроводник и Сильное легирование

Собственный полупроводник

Собственный полупроводник или полупроводник i-типа или нелегированный полупроводник (intrinsic — собственный) — это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 10−8 … 10−9%.

Посмотреть Вырожденный полупроводник и Собственный полупроводник

Запрещённая зона

Запрещённая зо́на — термин из физики твердого тела — зона — область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле.

Посмотреть Вырожденный полупроводник и Запрещённая зона

Легирование (полупроводники)

Леги́рование (legieren — «сплавлять», от ligare — «связывать») — внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости.

Посмотреть Вырожденный полупроводник и Легирование (полупроводники)