Содержание
7 отношения: Компенсированный полупроводник, Концентрация частиц, Примесь (металлургия), Сильное легирование, Собственный полупроводник, Запрещённая зона, Легирование (полупроводники).
Компенсированный полупроводник
Компенсированный полупроводник - легированный полупроводник с примерно одинаковой концентрацией доноров и акцепторов, свойства которого близки к собственным полупроводникам.
Посмотреть Вырожденный полупроводник и Компенсированный полупроводник
Концентрация частиц
Концентрация частиц — физическая величина, равная отношению числа частиц N к объёму V, в котором они находятся: Размерность в СИ.
Посмотреть Вырожденный полупроводник и Концентрация частиц
Примесь (металлургия)
При́месь — химический элемент, перешедший в состав сплава в процессе его производства как технологическая добавка или как составляющее шихтовых материалов.
Посмотреть Вырожденный полупроводник и Примесь (металлургия)
Сильное легирование
Сильное легирование наблюдается при больших концентрациях примесей.
Посмотреть Вырожденный полупроводник и Сильное легирование
Собственный полупроводник
Собственный полупроводник или полупроводник i-типа или нелегированный полупроводник (intrinsic — собственный) — это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 10−8 … 10−9%.
Посмотреть Вырожденный полупроводник и Собственный полупроводник
Запрещённая зона
Запрещённая зо́на — термин из физики твердого тела — зона — область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле.
Посмотреть Вырожденный полупроводник и Запрещённая зона
Легирование (полупроводники)
Леги́рование (legieren — «сплавлять», от ligare — «связывать») — внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости.
Посмотреть Вырожденный полупроводник и Легирование (полупроводники)