Содержание
31 отношения: Pin-диод, Пространственный заряд, Полупроводник n-типа, Полупроводник p-типа, Полупроводниковый диод, Полупроводниковые приборы, Полимеризация, Омический контакт, Акцептор (физика), Рекомбинация (физика полупроводников), Стабистор, Стабилитрон, Светодиод, Травление (фотолитография), Транзистор, Тиристор, Фотодиод, Фотолитография, Электрическая ёмкость, Электрический ток, Эпитаксия, Московский институт электроники и математики, Зонная теория, Барьер Шоттки, Высшая школа (издательство), Варикап, Вольт-амперная характеристика, Дырка, Диоксид кремния, Донор (физика), Легирование (полупроводники).
Pin-диод
Функциональная структура pin-диода PIN-диод — разновидность диода, в котором между областями электронной (n) и дырочной (p) проводимости находится собственный (нелегированный, англ.
Посмотреть P-n-переход и Pin-диод
Пространственный заряд
Пространственный заряд — распределённый нескомпенсированный электрический заряд одного знака.
Посмотреть P-n-переход и Пространственный заряд
Полупроводник n-типа
Схематическое изображение кремния с донорной примесью фосфора Полупроводники n-типа — полупроводник, в котором основные носители заряда — электроны проводимости.
Посмотреть P-n-переход и Полупроводник n-типа
Полупроводник p-типа
Схема кристаллической решетки полупроводника VI группы (кремния легированного алюминием) с проводимостью р-типа. Полупроводни́к p-ти́па — полупроводник, в котором основными носителями заряда являются дырки.
Посмотреть P-n-переход и Полупроводник p-типа
Полупроводниковый диод
Схема полупроводникового кремниевого диода. Ниже приведено его символическое изображение на электрических принципиальных схемах. Полупроводнико́вый диод — полупроводниковый прибор, в широком смысле — электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода).
Посмотреть P-n-переход и Полупроводниковый диод
Полупроводниковые приборы
Интегральные схемы являются полупроводниковыми приборами Полупроводниковые приборы, ПП — широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников.
Посмотреть P-n-переход и Полупроводниковые приборы
Полимеризация
этиленоксида в полиэтиленгликоль Полимериза́ция (πολυμερής — состоящий из многих частей) — процесс образования высокомолекулярного вещества (полимера) путём многократного присоединения молекул низкомолекулярного вещества (мономера, олигомера) к активным центрам в растущей молекуле полимера.
Посмотреть P-n-переход и Полимеризация
Омический контакт
Омический контакт — контакт между металлом и полупроводником или двумя полупроводниками, характеризующийся линейной симметричной вольт-амперной характеристикой (ВАХ).
Посмотреть P-n-переход и Омический контакт
Акцептор (физика)
Схематическое изображение кремния с акцепторной примесью бора Акце́птор — в физике твёрдого тела (также полупроводников) примесь в кристаллической решётке, которая придаёт кристаллу дырочный тип проводимости, при которой носителями заряда являются дырки.
Посмотреть P-n-переход и Акцептор (физика)
Рекомбинация (физика полупроводников)
Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда в среде с выделением энергии.
Посмотреть P-n-переход и Рекомбинация (физика полупроводников)
Стабистор
Стаби́стор (ранее нормистор) — полупроводниковый диод, в котором для стабилизации напряжения используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики (то есть в области прямого смещения напряжение на стабисторе слабо зависит от тока).
Посмотреть P-n-переход и Стабистор
Стабилитрон
Полупроводнико́вый стабилитро́н, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя.
Посмотреть P-n-переход и Стабилитрон
Светодиод
190px Светодио́д или светоизлучающий диод (СД, СИД; light-emitting diode, LED) — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока в прямом направлении.
Посмотреть P-n-переход и Светодиод
Травление (фотолитография)
Травление в литографии (etching (development) in lithography) — этап фотолитографического процесса, заключающийся в удалении негативного фоторезиста с необлученных участков или позитивного фоторезиста с облученных участков подложки, покрытой тонкой пленкой фоторезиста.
Посмотреть P-n-переход и Травление (фотолитография)
Транзистор
Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении Транзи́стор (transistor), полупроводнико́вый трио́д — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
Посмотреть P-n-переход и Транзистор
Тиристор
схемах Советские тиристоры. Слева направо: '''Т-15''', '''Т-10''', '''КУ-202В''', '''КУ-101Е''' Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния.
Посмотреть P-n-переход и Тиристор
Фотодиод
Фотодиод. ФД-10-100 (активная площадь — 10×10nbspмм²). шт). Обозначение на схемах. Типовая спектральная чувствительность кремниевого фотодиода. Фотодио́д — приёмник оптического излучения, который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет в электрический заряд за счёт процессов в p-n-переходе.
Посмотреть P-n-переход и Фотодиод
Фотолитография
Фотолитогра́фия — метод получения определённого рисунка на поверхности материала, широко используемый в микроэлектронике и других видах микротехнологий, а также в производстве печатных плат.
Посмотреть P-n-переход и Фотолитография
Электрическая ёмкость
Электри́ческая ёмкость — характеристика проводника, мера его способности накапливать электрический заряд.
Посмотреть P-n-переход и Электрическая ёмкость
Электрический ток
Электри́ческий ток — направленное (упорядоченное) движение частиц или квазичастиц — носителей электрического заряда.
Посмотреть P-n-переход и Электрический ток
Эпитаксия
Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другом при более низких температурах (от επι — на и ταξισ — упорядоченность), то есть ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки).
Посмотреть P-n-переход и Эпитаксия
Московский институт электроники и математики
Моско́вский институ́т электро́ники и матема́тики имени А. Н. Тихонова Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики» (МИЭМ) — учебно-научное подразделение НИУ ВШЭ.
Посмотреть P-n-переход и Московский институт электроники и математики
Зонная теория
Зонная теория твёрдого тела — квантовомеханическая теория движения электронов в твёрдом теле.
Посмотреть P-n-переход и Зонная теория
Барьер Шоттки
Барье́р Шо́ттки (или Шо́тки, (Schottky barrier)) — потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода (энергий, затрачиваемых на удаление электрона из твёрдого тела или жидкости в вакуум) металла и полупроводника: \phi_O.
Посмотреть P-n-переход и Барьер Шоттки
Высшая школа (издательство)
Вы́сшая шко́ла — советское и российское государственное издательство, издающее научную, а также учебную и учебно-методическую литературу различных уровней (высших, средних специальных и профессионально-технических) учебных заведений на русском и других языках.
Посмотреть P-n-переход и Высшая школа (издательство)
Варикап
Обозначение варикапа на принципиальных электрических схемах. Варика́п (акроним от vari(able) — «переменный», и cap(acitance) — « ёмкость») — электронный прибор, полупроводниковый диод, работа которого основана на зависимости барьерной ёмкости p-n-перехода от обратного напряжения.
Посмотреть P-n-переход и Варикап
Вольт-амперная характеристика
Пример ВАХ для диода. область — прямая ветвь ВАХ (слева — рабочий участок, справа — прямой пробой), голубая область — рабочая часть обратной ветви ВАХ, розовая область — обратный пробой.
Посмотреть P-n-переход и Вольт-амперная характеристика
Дырка
Ды́рка — квазичастица, носитель положительного заряда, равного элементарному заряду, в полупроводниках.
Посмотреть P-n-переход и Дырка
Диоксид кремния
Диоксид кремния (кремнезём, SiO2; silica) — оксид кремния (IV).
Посмотреть P-n-переход и Диоксид кремния
Донор (физика)
кремния с донорной примесью фосфора Донор в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) — примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон.
Посмотреть P-n-переход и Донор (физика)
Легирование (полупроводники)
Леги́рование (legieren — «сплавлять», от ligare — «связывать») — внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости.
Посмотреть P-n-переход и Легирование (полупроводники)
Также известен как P-n переход, Pn-переход, Р-n переход, Электронно-дырочный переход.