Содержание
59 отношения: DIP, Fluke Corporation, International Rectifier, NXP Semiconductors, P-n-переход, SOIC, SPICE (симулятор электронных схем), TO220, Катод, Карбид кремния, Корпусирование ИС, Пассивация металлов, Паскаль (единица измерения), Планарная технология, Погрешность измерения, Полоса пропускания, Обратная связь (техника), Обращённый диод, Атмосферное давление, Арсенид галлия, Акцептор (физика), НАСА, Радиоволны, Разделение пластин на кристаллы (технологическая операция), Стабилитрон со скрытой структурой, Стандартные условия, Термическое сопротивление, Фарад, Химическое осаждение из газовой фазы, Цифровой сигнальный процессор, Эффект Зенера, Электрический ток, Электрический импульс, Электрический предохранитель, Электрическое сопротивление, Эмиттерный повторитель, МОП-структура, Микроволновое излучение, Миллиметр ртутного столба, Источник опорного напряжения, Искусство схемотехники, Интегральная схема, Инфразвук, Звук, Зи, Саймон Мин, Зенер, Кларенс Мэлвин, Бристольский университет, Белый шум, Выпрямительный диод, Ватт, ... Развернуть индекс (9 больше) »
- Полупроводниковые диоды
DIP
Микросхема таймера NE555 в корпусе PDIP8 Разъёмы для 8, 14 и 16-выводных компонентов в корпусе DIP DIP (dual in-line package, также DIL) — название типа корпуса, применяемого для микросхем, микросборок и некоторых других электронных компонентов.
Посмотреть Стабилитрон и DIP
Fluke Corporation
Fluke Corporation (Корпорация Флюк) — один из ведущих разработчиков и производителей электронных контрольно-измерительных приборов.
Посмотреть Стабилитрон и Fluke Corporation
International Rectifier
International Rectifier — американский разработчик и производитель электронных компонентов.
Посмотреть Стабилитрон и International Rectifier
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors (произносится эн-экс-пи, от англ. Next eXPerience) — независимая компания, основанная Philips, поставщик полупроводниковых компонентов со штаб-квартирой в г. Эйндховен, Нидерланды.
Посмотреть Стабилитрон и NXP Semiconductors
P-n-переход
p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от positive — положительная) и электронной (n, от negative — отрицательная).
Посмотреть Стабилитрон и P-n-переход
SOIC
Микросхемы в корпусе SOIC SOIC (Small-Outline Integrated Circuit) — тип корпуса микросхемы, предназначенный для поверхностного монтажа.
Посмотреть Стабилитрон и SOIC
SPICE (симулятор электронных схем)
SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) — симулятор электронных схем общего назначения с открытым исходным кодом.
Посмотреть Стабилитрон и SPICE (симулятор электронных схем)
TO220
Внешний вид корпуса TO220 (или TO-220) — тип корпуса для транзисторов, выпрямителей, интегральных стабилизаторов напряжения и других полупроводниковых приборов малой и средней мощности (до 50 Вт выделения тепла).
Посмотреть Стабилитрон и TO220
Катод
Схема гальванического элемента Даниэля-Якоби Катод (от κάθοδος — ход вниз; нисхождение) — электрод некоторого прибора, присоединённый к отрицательному полюсу источника тока.
Посмотреть Стабилитрон и Катод
Карбид кремния
Карби́д кре́мния (карбору́нд) — бинарное неорганическое химическое соединение кремния с углеродом.
Посмотреть Стабилитрон и Карбид кремния
Корпусирование ИС
Ранняя советская микросхема К1ЖГ453 Корпусирование интегральных схем — завершающая стадия микроэлектронного производства, в процессе которой полупроводниковый кристалл устанавливается в корпус.
Посмотреть Стабилитрон и Корпусирование ИС
Пассивация металлов
Оцинкованное ведро — изделие из стали, защищённое цинковым покрытием от коррозии. Цинк выполняет роль протектора, а так как в обычных условиях он покрыт тонким пассивным слоем, покрытие растворяется не слишком быстро.
Посмотреть Стабилитрон и Пассивация металлов
Паскаль (единица измерения)
Паска́ль (русское обозначение: Па, международное: Pa) — единица измерения давления (механического напряжения) в Международной системе единиц (СИ).
Посмотреть Стабилитрон и Паскаль (единица измерения)
Планарная технология
Планарная технология — совокупность технологических операций, используемых при изготовлении планарных (плоских, поверхностных) полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Посмотреть Стабилитрон и Планарная технология
Погрешность измерения
Погрешность измерения — отклонение измеренного значения величины от её истинного (действительного) значения.
Посмотреть Стабилитрон и Погрешность измерения
Полоса пропускания
Полоса пропускания (прозрачности) — диапазон частот, в пределах которого амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) акустического, радиотехнического, оптического или механического устройства достаточно равномерна для того, чтобы обеспечить передачу сигнала без существенного искажения его формы.
Посмотреть Стабилитрон и Полоса пропускания
Обратная связь (техника)
Обра́тная связь в технике — это процесс, приводящий к тому, что результат функционирования какой-либо системы влияет на параметры, от которых зависит функционирование этой системы.
Посмотреть Стабилитрон и Обратная связь (техника)
Обращённый диод
туннельного диода (пунктирная) Обозначение на схемах. От катода к аноду — прямое (проводящее) направление тока. От анода к катоду — обратное (запирающее) направление тока.
Посмотреть Стабилитрон и Обращённый диод
Атмосферное давление
Атмосфе́рное давле́ние — давление атмосферы, действующее на все находящиеся в ней предметы и на земную поверхность, равное модулю силы, действующей в атмосфере на единицу площади поверхности по нормали к ней.
Посмотреть Стабилитрон и Атмосферное давление
Арсенид галлия
Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка.
Посмотреть Стабилитрон и Арсенид галлия
Акцептор (физика)
Схематическое изображение кремния с акцепторной примесью бора Акце́птор — в физике твёрдого тела (также полупроводников) примесь в кристаллической решётке, которая придаёт кристаллу дырочный тип проводимости, при которой носителями заряда являются дырки.
Посмотреть Стабилитрон и Акцептор (физика)
НАСА
| название.
Посмотреть Стабилитрон и НАСА
Радиоволны
радиолокационной станции электромагнитного излучения, включая радиоволны. Анимированная схема излучения радиоволн Радиово́лны — электромагнитные волны с частотами до 3 ТГц, распространяющиеся в пространстве без искусственного волновода.
Посмотреть Стабилитрон и Радиоволны
Разделение пластин на кристаллы (технологическая операция)
Полупроводниковая пластина Один из технологических процессов в электронной промышленности, процесс разделения полупроводниковых пластин на отдельные кристаллы включает в себя.
Посмотреть Стабилитрон и Разделение пластин на кристаллы (технологическая операция)
Стабилитрон со скрытой структурой
Стабилитрон со скрытой структурой (ССС, buried zener) — интегральный кремниевый стабилитрон в котором, в отличие от обычных стабилитронов, под p-n-переходом создана скрытая область (островок) с высокой концентрацией акцепторных примесей.
Посмотреть Стабилитрон и Стабилитрон со скрытой структурой
Стандартные условия
Стандартные условия для температуры и давления — это значения температуры и давления, с которыми соотносятся значения других физических величин, зависящих от давления и температуры.
Посмотреть Стабилитрон и Стандартные условия
Термическое сопротивление
Термическое сопротивление — тепловое сопротивление, способность тела (его поверхности или какого-либо слоя) препятствовать распространению теплового движения молекул.
Посмотреть Стабилитрон и Термическое сопротивление
Фарад
Фара́д (русское обозначение: Ф; международное обозначение: F; прежнее название — фара́да) — единица измерения электрической ёмкости в Международной системе единиц (СИ), названная в честь английского физика Майкла Фарадея.
Посмотреть Стабилитрон и Фарад
Химическое осаждение из газовой фазы
углеродных нанотрубок в лабораторной установке PECVD (Plasma Enhanced CVD). Химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ) (химическое парофазное осаждение, Chemical vapor deposition, CVD) — процесс, используемый для получения высокочистых твёрдых материалов.
Посмотреть Стабилитрон и Химическое осаждение из газовой фазы
Цифровой сигнальный процессор
Цифровой сигнальный процессор (digital signal processor, DSP, цифровой процессор обработки сигналов (ЦПОС)) — специализированный микропроцессор, предназначенный для обработки оцифрованных сигналов (обычно, в режиме реального времени).
Посмотреть Стабилитрон и Цифровой сигнальный процессор
Эффект Зенера
thumb thumb Туннельный пробой (эффект Зенера) - электрический пробой p-n перехода, вызванный туннельным эффектом, то есть «просачиванием» электронов сквозь тонкий потенциальный барьер.
Посмотреть Стабилитрон и Эффект Зенера
Электрический ток
Электри́ческий ток — направленное (упорядоченное) движение частиц или квазичастиц — носителей электрического заряда.
Посмотреть Стабилитрон и Электрический ток
Электрический импульс
Электрический импульс — кратковременный всплеск электрического напряжения или силы тока в определённом, конечном временном промежутке.
Посмотреть Стабилитрон и Электрический импульс
Электрический предохранитель
конструкторской документации. Предохранитель — коммутационный электрический аппарат, предназначенный для отключения защищаемой цепи размыканием или разрушением специально предусмотренных для этого токоведущих частей под действием тока, превышающего определённое значение.
Посмотреть Стабилитрон и Электрический предохранитель
Электрическое сопротивление
Электрическое напряжениеСила токаЭлектрическая мощность'''Электрическое сопротивление''' Электри́ческое сопротивле́ние — физическая величина, характеризующая свойства проводника препятствовать прохождению электрического тока и равная отношению напряжения на концах проводника к силе тока, протекающего по нему.
Посмотреть Стабилитрон и Электрическое сопротивление
Эмиттерный повторитель
Эмиттерный повторитель на основе npn-транзистора Используемая на практике схема усилителя на эмиттерном повторителе. Резисторы R1 и R2 задают начальный режим работы транзистора («смещение»), C1 и C2 устраняют постоянную составляющую входного и выходного сигналов Эмиттерный повторитель — частный случай повторителей напряжения на основе биполярного транзистора.
Посмотреть Стабилитрон и Эмиттерный повторитель
МОП-структура
МОП-структура — полупроводниковая структура, применяемая при производстве микросхем и дискретных полевых транзисторов.
Посмотреть Стабилитрон и МОП-структура
Микроволновое излучение
Микрово́лновое излучение, сверхвысокочасто́тное излуче́ние (СВЧ-излучение) — электромагнитное излучение, включающее в себя дециметровый, сантиметровый и миллиметровый диапазоны радиоволн, частоты микроволнового излучения изменяются от 300 МГц до 300 ГГц (длина волны от 1 м до 1 мм).
Посмотреть Стабилитрон и Микроволновое излучение
Миллиметр ртутного столба
Миллиме́тр рту́тного столба́ (русское обозначение: мм рт.ст., мм рт. ст.; международное: mm Hg) — внесистемная единица измерения давления, равная 101 325 / 760 ≈ 133,322 368 4 Па; иногда называется «торр» (русское обозначение — торр, международное — Torr) в честь Эванджелисты Торричелли.
Посмотреть Стабилитрон и Миллиметр ртутного столба
Источник опорного напряжения
Исто́чник, или генера́тор, опо́рного напряже́ния (ИОН) — базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение.
Посмотреть Стабилитрон и Источник опорного напряжения
Искусство схемотехники
«Искусство схемотехники» (The Art of Electronics — Искусство электроники) — широко известная монография-учебник по аналоговой и цифровой схемотехнике (электроника), написанная американскими специалистами Паулем Хоровицем из Гарвардского университета и Уинфилдом Хиллом (Winfield Hill) из Роулендского института науки (англ.), Кембридж, Массачусетс.
Посмотреть Стабилитрон и Искусство схемотехники
Интегральная схема
thumb Интегра́льная (микро)схе́ма (ИС, ИМС, м/сх), микросхе́ма, чип (chip — тонкая пластинка — первоначально термин относился к пластинке кристалла микросхемы) — микроэлектронное устройство — электронная схема произвольной сложности (кристалл), изготовленная на полупроводниковой подложке (пластине или плёнке) и помещённая в неразборный корпус или без такового, в случае вхождения в состав микросборки.
Посмотреть Стабилитрон и Интегральная схема
Инфразвук
Инфразву́к (от infra — ниже, под) — звуковые волны, имеющие частоту ниже воспринимаемой человеческим ухом.
Посмотреть Стабилитрон и Инфразвук
Звук
Звук — физическое явление, представляющее собой распространение в виде упругих волн механических колебаний в твёрдой, жидкой или газообразной среде.
Посмотреть Стабилитрон и Звук
Зи, Саймон Мин
Саймон Мин Зи (Simon Min Sze, родился 21 мая 1936) — китайский физик, изобретатель энергонезависимой памяти на транзисторах с плавающими затвороми (1967), автор классического учебника по физике полупроводников (1969, русское издание — 1984).
Посмотреть Стабилитрон и Зи, Саймон Мин
Зенер, Кларенс Мэлвин
Кларенс Мэлвин Зенер (Clarence Melvin Zener, 1 декабря 1905 — 15 июля 1993) американский физик, который первым описал электрические свойства стабилитрона во время работы в Bell Labs.
Посмотреть Стабилитрон и Зенер, Кларенс Мэлвин
Бристольский университет
Мемориальное здание Уиллса (юридическая школа) на Парк-Стрит. Здание было обновлено в 2006—2007 гг. Royal Fort and the Physics department Бристольский университет (University of Bristol) в городе Бристоль (Великобритания) входит в группу «университетов из красного кирпича» (то есть изначально бывших политехническими колледжами).
Посмотреть Стабилитрон и Бристольский университет
Белый шум
Спектр шума, который можно считать белым Белый шум — стационарный шум, спектральные составляющие которого равномерно распределены по всему диапазону задействованных частот.
Посмотреть Стабилитрон и Белый шум
Выпрямительный диод
Аналогия между работой обратного клапана и диода Эффект односторонней проводимости показан в зависимости от полярности подключения диода на схеме Выпрями́тельные дио́ды — диоды, предназначенные для преобразования переменного тока в постоянный.
Посмотреть Стабилитрон и Выпрямительный диод
Ватт
Ватт (русское обозначение: Вт, международное: W) — единица измерения мощности, а также теплового потока, потока звуковой энергии, мощности постоянного электрического тока, активной, реактивной и полной мощности переменного электрического тока, потока излучения и потока энергии ионизирующего излучения в Международной системе единиц (СИ).
Посмотреть Стабилитрон и Ватт
Вольт
Вольт (русское обозначение: В; международное: V) — в Международной системе единиц (СИ) единица измерения электрического потенциала, разности потенциалов, электрического напряжения и электродвижущей силы.
Посмотреть Стабилитрон и Вольт
Диодный мост
Дио́дный мо́ст — электрическое устройство, предназначенное для преобразования («выпрямления») переменного тока в пульсирующий.
Посмотреть Стабилитрон и Диодный мост
Диоксид кремния
Диоксид кремния (кремнезём, SiO2; silica) — оксид кремния (IV).
Посмотреть Стабилитрон и Диоксид кремния
Донор (физика)
кремния с донорной примесью фосфора Донор в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) — примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон.
Посмотреть Стабилитрон и Донор (физика)
Действующее значение переменного тока
Действующее (эффективное) значение переменного тока равно величине такого постоянного тока, который за время, равное одному периоду переменного тока, произведёт такую же работу (тепловой или электродинамический эффект), что и рассматриваемый переменный ток.
Посмотреть Стабилитрон и Действующее значение переменного тока
Лужение
Луже́ние — нанесение тонкого слоя расплавленного олова на поверхность металлических (прежде всего стальных и железных) изделий.
Посмотреть Стабилитрон и Лужение
Лаборатории Белла
Лаборатории Белла в Мюррей Хилл (Нью-Джерси, США) Bell Laboratories (известна также как Bell Labs, прежние названия — AT&T Bell Laboratories, Bell Telephone Laboratories) — бывшая американская, а ныне финско-американская корпорация, крупный исследовательский центр в области телекоммуникаций, электронных и компьютерных систем.
Посмотреть Стабилитрон и Лаборатории Белла
Лавинно-пролётный диод
Лави́нно-пролётный дио́д (ЛПД, IMPATT-диод) — диод, основанный на лавинном умножении носителей заряда.
Посмотреть Стабилитрон и Лавинно-пролётный диод
Легирование (полупроводники)
Леги́рование (legieren — «сплавлять», от ligare — «связывать») — внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости.
Посмотреть Стабилитрон и Легирование (полупроводники)
См. также
Полупроводниковые диоды
- Pin-диод
- Варикап
- Диак
- Динистор
- Диод
- Диод Ганна
- Диод Шоттки
- Диоды серии 1N4001 и 1N5400
- Кристаллический детектор
- Лавинно-пролётный диод
- Лавинный диод
- Обращённый диод
- Селеновый выпрямитель
- Стабилитрон
- Стабистор
- Туннельный диод
Также известен как Супрессор (электроника), Полупроводниковый стабилитрон, Зенеровский диод, Диод Зенера.