12 отношения: P-n-переход, Кремний, Перенапряжение (электротехника), Напряжённость электрического поля, Туннельный эффект, Температурный дрейф, Ударная ионизация, Электрическое напряжение, Искусство схемотехники, Зи, Саймон Мин, Вольт, Легирование (полупроводники).
P-n-переход
p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от positive — положительная) и электронной (n, от negative — отрицательная).
Новый!!: Лавинный диод и P-n-переход · Узнать больше »
Кремний
Кре́мний (Si от Silicium) — элемент четырнадцатой группы (по старой классификации — главной подгруппы четвёртой группы), третьего периода периодической системы химических элементов с атомным номером 14.
Новый!!: Лавинный диод и Кремний · Узнать больше »
Перенапряжение (электротехника)
Перенапряжение — любое увеличение напряжённости электрического поля в какой-либо части установки или линии электропередачи, достигающее величины, опасной для состояния изоляции установкиТехническая энциклопедия, под ред.
Новый!!: Лавинный диод и Перенапряжение (электротехника) · Узнать больше »
Напряжённость электрического поля
Напряжённость электри́ческого по́ля — векторная физическая величина, характеризующая электрическое поле в данной точке и численно равная отношению силы \vec F, действующей на неподвижный точечный заряд, помещённый в данную точку поля, к величине этого заряда q: Из этого определения видно, почему напряжённость электрического поля иногда называется силовой характеристикой электрического поля (действительно, всё отличие от вектора силы, действующей на заряженную частицу, только в постоянном множителе).
Новый!!: Лавинный диод и Напряжённость электрического поля · Узнать больше »
Туннельный эффект
Тунне́льный эффект, туннели́рование — преодоление микрочастицей потенциального барьера в случае, когда её полная энергия (остающаяся при туннелировании неизменной) меньше высоты барьера.
Новый!!: Лавинный диод и Туннельный эффект · Узнать больше »
Температурный дрейф
Температу́рный дрейф — изменение электрических параметров электронного устройства, электронного прибора вызванное изменением внешней температуры среды.
Новый!!: Лавинный диод и Температурный дрейф · Узнать больше »
Ударная ионизация
Уда́рная иониза́ция — физическая модель, описывающая ионизацию атома при «ударе о него» электрона или другой заряженной частицы — например, позитрона, иона или «дырки».
Новый!!: Лавинный диод и Ударная ионизация · Узнать больше »
Электрическое напряжение
'''Электрическое напряжение'''Сила токаЭлектрическая мощностьЭлектрическое сопротивление Электри́ческое напряже́ние между точками и электрической цепи или электрического поля — физическая величина, значение которой равно работе эффективного электрического поля (включающего сторонние поля), совершаемой при переносе единичного пробного электрического заряда из точки в точку.
Новый!!: Лавинный диод и Электрическое напряжение · Узнать больше »
Искусство схемотехники
«Искусство схемотехники» (The Art of Electronics — Искусство электроники) — широко известная монография-учебник по аналоговой и цифровой схемотехнике (электроника), написанная американскими специалистами Паулем Хоровицем из Гарвардского университета и Уинфилдом Хиллом (Winfield Hill) из Роулендского института науки (англ.), Кембридж, Массачусетс.
Новый!!: Лавинный диод и Искусство схемотехники · Узнать больше »
Зи, Саймон Мин
Саймон Мин Зи (Simon Min Sze, родился 21 мая 1936) — китайский физик, изобретатель энергонезависимой памяти на транзисторах с плавающими затвороми (1967), автор классического учебника по физике полупроводников (1969, русское издание — 1984).
Новый!!: Лавинный диод и Зи, Саймон Мин · Узнать больше »
Вольт
Вольт (русское обозначение: В; международное: V) — в Международной системе единиц (СИ) единица измерения электрического потенциала, разности потенциалов, электрического напряжения и электродвижущей силы.
Новый!!: Лавинный диод и Вольт · Узнать больше »
Легирование (полупроводники)
Леги́рование (legieren — «сплавлять», от ligare — «связывать») — внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости.
Новый!!: Лавинный диод и Легирование (полупроводники) · Узнать больше »