Содержание
5 отношения: Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы, Эпитаксия, Молекулярно-пучковая эпитаксия, Метод Чохральского, Газофазная эпитаксия.
Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы
Осаждение металлорганических соединений из газовой фазы (Metalorganic chemical vapour deposition) — метод химического осаждения из газовой фазы путём термического разложения (пиролиза) металлоорганических соединений для получения материалов (металлов и полупроводников), в том числе путём эпитаксиального выращивания.
Посмотреть Жидкофазная эпитаксия и Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы
Эпитаксия
Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другом при более низких температурах (от επι — на и ταξισ — упорядоченность), то есть ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки).
Посмотреть Жидкофазная эпитаксия и Эпитаксия
Молекулярно-пучковая эпитаксия
Система молекулярно-пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой-шибером. Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) — эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума.
Посмотреть Жидкофазная эпитаксия и Молекулярно-пучковая эпитаксия
Метод Чохральского
Ме́тод Чохра́льского — метод выращивания монокристаллов путём вытягивания их вверх от свободной поверхности большого объёма расплава с инициацией начала кристаллизации путём приведения затравочного кристалла (или нескольких кристаллов) заданной структуры и кристаллографической ориентации в контакт со свободной поверхностью расплава.
Посмотреть Жидкофазная эпитаксия и Метод Чохральского
Газофазная эпитаксия
Газофа́зная эпитаксия — получение эпитаксиальных слоев полупроводников путём осаждения из паро-газовой фазы.
Посмотреть Жидкофазная эпитаксия и Газофазная эпитаксия