Содержание
9 отношения: Квантовый провод, Пористое стекло, Арсенид галлия, Анодирование, Сульфид свинца(II), Тринитротолуол, Теллурид свинца, Электролюминесценция, Легирование (полупроводники).
- Биомедицинская инженерия
Квантовый провод
В физике конденсированного состояния квантовый провод — это электропроводящий провод, в котором квантовые эффекты оказывают влияние на явления переноса.
Посмотреть Пористый кремний и Квантовый провод
Пористое стекло
Пористое стекло — стеклообразный пористый материал с губчатой структурой и содержанием SiO2 около 96 масс.%. Пористое стекло является результатом термической и химической обработки стекол особого состава.
Посмотреть Пористый кремний и Пористое стекло
Арсенид галлия
Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка.
Посмотреть Пористый кремний и Арсенид галлия
Анодирование
Анодирование (синонимы: анодное оксидирование, анодное окисление) — процесс создания оксидной плёнки на поверхности некоторых металлов и сплавов путём их анодной поляризации в проводящей среде.
Посмотреть Пористый кремний и Анодирование
Сульфид свинца(II)
Сульфид свинца (галенит, свинцовый блеск) — неорганическое химическое соединение свинца и серы, представляющее собой кристаллическое соединение с окраской от сине-серого до серебристо-серой.
Посмотреть Пористый кремний и Сульфид свинца(II)
Тринитротолуол
Тринитротолуо́л (2,4,6-тринитротолуол, 2,4,6-тринитрометилбензол, тротил,тол, TNT) — одно из наиболее распространённых бризантных взрывчатых веществ.
Посмотреть Пористый кремний и Тринитротолуол
Теллурид свинца
Теллури́д свинца́ (PbTe) — бинарное неорганическое химическое соединение свинца и теллура, кристаллизующееся в кубической структуре типа NaCl.
Посмотреть Пористый кремний и Теллурид свинца
Электролюминесценция
Электролюминесцентный ночник середины прошлого века Электролюминесценция — люминесценция, возбуждаемая электрическим полем.
Посмотреть Пористый кремний и Электролюминесценция
Легирование (полупроводники)
Леги́рование (legieren — «сплавлять», от ligare — «связывать») — внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости.
Посмотреть Пористый кремний и Легирование (полупроводники)